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鐵電新材料或可大幅減少手機芯片能耗
发布时间: 2021-09-30 14:06 | 【 【打印】【關閉】
  美国宾州大学材料研究所材料科学与工程教授Jon-Paul Maria等研究人员近日在《应用物理学杂志》(Journal of Applied Physics)发表论文,称掺杂镁的氧化锌(magnesium-substituted zinc oxide)呈现铁电性,这一铁电新材料有望在低能耗条件下提高数字信息存储能力。
  铁电材料指在一定温度范围内具有自发极化, 且极化方向能被外加电场改变的材料。铁电材料可在无外加电源的情况下保持较稳定的极化状态,因此可提供低能耗的数据存储解决方案。Jon-Paul Maria教授表示,该团队发现的新材料可制作微型电容器并设定极化方向。新材料由掺杂镁的氧化锌薄膜制作,该薄膜通过溅射沉积法制备,即氩离子以高速冲击含有镁和锌的标靶,使镁、锌原子脱离标靶并以气相状态游移,直至发生氧化反应,最后在铂金涂层的氧化铝基质上沉积而形成薄膜。
  鐵電新材料研發的下一步是將其制成厚度約爲10納米、長度約爲20—30納米的電容器。研究人員需要想辦法控制材料的沈積,防止出現瑕疵。這將是鐵電新材料用于手機芯片新技術的關鍵所在。
  注:本文摘自國外相關研究報道,文章內容不代表本網站觀點和立場,僅供參考。
  文章來源:科技部
  文章鏈接:http://www.most.gov.cn/gnwkjdt/202109/t20210928_177093.html
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